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【伝送交換主任技術者】過去問準拠 予想演習 問049 解説|思考ルート

仮想記憶システムにおけるページング方式およびメモリ管理に関する記述として、最も不適切なものはどれか。

※本問は、過去の出題傾向・頻出論点をAI分析して作成した「過去問準拠の予想演習問題」です。

予想演習 No.049

仮想記憶システムにおけるページング方式およびメモリ管理に関する記述として、最も不適切なものはどれか。

選択肢

  1. ページング方式では、主記憶と補助記憶の間を「ページ」と呼ばれる固定長の単位に分割してデータの入れ替えや管理を行う。

  2. 主記憶上に存在しないページにアクセスしようとした際に発生する割り込みをページフォールト(ページ不在割り込み)と呼ぶ。

  3. LRU(Least Recently Used)方式は、ページ置き換えアルゴリズムの一つであり、最後に参照してからの経過時間が最も長いページを置き換え対象として選択する。

  4. メモリリークとは、仮想記憶のページングにおいて参照頻度の低いページが連続して補助記憶へスワッピングされる現象であり、これが原因でページフォールトが一時的に解消される。


正解と解説(思考ルート)

【正解】 選択肢 4

■【設問の意図と背景】

仮想記憶における専門用語(ページフォールト、LRU、スラッシング等)の定義と、メモリリークの本質的な混同を突く出題。

■【正解の根拠とメカニズム】

メモリリークとは、プログラムが動的に確保したメモリ領域が不要になった後も解放されずにシステムに残続け、利用可能なメモリが徐々に減少する不具合(バグ)のことである。ページングにおけるスワッピングやページフォールトとは概念が全く異なるため、選択肢4の記述は完全に誤りである。

■【各選択肢の徹底検証】

・選択肢1:ページングにおける固定長ブロックの定義として正しい。

・選択肢2:存在しないページへのアクセスの割り込みがページフォールトであるのは正しい。

・選択肢3:LRUのアルゴリズム(最古参照の追い出し)の定義として正しい。

・選択肢4:メモリリークはメモリ解放漏れのバグであり、スワッピングやページフォールトの解消現象を指すものではないため不適切。

■【本番での即断ポイント】

「メモリリーク」という言葉が出てきたら、動的メモリの解放漏れというバグの文脈であることを思い出し、ページングの物理現象やスワッピングと混同させないようにする。

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