【伝送交換主任技術者】過去問準拠 予想演習 問035 解説｜思考ルート
コンピュタシステムの仮想記憶管理におけるページング方式、ページ不在割り込み、ページ置き換えアルゴリズム、およびスラッシング現象に関する記述のうち、最も不適切なものはどれか。
※本問は、過去の出題傾向・頻出論点をAI分析して作成した「過去問準拠の予想演習問題」です。
予想演習 No.035
コンピュタシステムの仮想記憶管理におけるページング方式、ページ不在割り込み、ページ置き換えアルゴリズム、およびスラッシング現象に関する記述のうち、最も不適切なものはどれか。
選択肢
仮想記憶のページング方式では、主記憶と補助記憶の間を「ページ」と呼ばれる固定長の単位に分割してデータの入れ替えを行い、アクセスしようとしたページが主記憶上に存在しない場合にページフォールト（ページ不在割り込み）が発生する。
ページフォールトの発生頻度が異常に高まり、システムが本来のアプリケーション処理をほとんど行えず、ページのスワッピング処理の入出力に没頭してシステム全体の性能が極度に低下する現象をメモリリークと呼ぶ。
LRU（Least Recently Used）方式は、ページ置き換えアルゴリズムの一つであり、最後に参照してから経過している時間が最も長いページを検出して主記憶から追い出す方式である。
プログラムのワーキングセットサイズに対して実メモリの割り当て容量が不十分な状態で複数のプロセスを同時に稼働させると、ページ置き換えが頻発してシステム性能の急激な劣化を招く危険性がある。
正解と解説（思考ルート）
【正解】 選択肢 2
■【設問の意図と背景】
仮想記憶管理のメカニズムにおける専門用語（ページフォールト、スラッシング、メモリリーク等）の定義の正確性と、誤った用語の混同を見抜く能力を問う。
■【正解の根拠とメカニズム】
選択肢2の記述が明確に不適切である。ページ入出力の頻発により性能が極度に低下する現象は「スラッシング」であり、「メモリリーク」とは動的確保したメモリ領域が解放されずに残り続けるバグ現象を指すため、用語が混同されている。
■【各選択肢の徹底検証】
・選択肢1：ページング方式の定義およびページフォールト発生のメカニズムとして正しい。
・選択肢2：性能低下を伴うページ入出国の頻発はスラッシングであり、メモリリークではないため誤り。
・選択肢3：LRUの定義として、最古参照ページを追い出す方式を正しく説明しており正しい。
・選択肢4：ワーキングセットサイズ超過によるスラッシング発生リスクについての記述として正しい。
■【本番での即断ポイント】
「ページ入出力の頻発による性能急低下」はスラッシングであり、「メモリの解放忘れ」はメモリリークであるという基本概念のすり替えを見抜くことが急所である。
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